FIB
聚焦离子束
一、原理
聚焦离子束技术主要是利用静电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割技术。FIB系统的离子束是从液态金属离子镓源中引出。在离子柱顶端外加电场于液态金属离子源，可使液态金属或合金形成细小尖端，再加上负电场牵引尖端的金属或合金，从而导出离子束，然后通过静电透镜聚焦，最后通过分析器、偏转装置及物镜将需要的离子束聚焦在样品上并扫描，离子束轰击样品，产生的二次电子和离子被收集并成像或利用离子束物理碰撞来实现样品的切割或研磨。
二、设备型号、关键性能参数
设备型号：FEI Scios
关键性能参数：
工作压力： 高真空（5×10-4Pa）
离子源种类：液态Ga离子源
离子束分辨率：≤5 nm@30kV
束流强度：1.5pA-65nA （15孔光阑条）
电子束分辨率：≤1 nm@30kV（二次电子）
加速电压：0.5 -30kV
背散射电子分辨率： ≤3nm@30kV
三、应用
SEM、STEM和TEM的样品制备；
纳米结构的制备和选择性的材料沉积；
表面成像和元素分析
